低电压下继电器的吸合措施电路

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低电压下继电器的吸合措施电路

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BT33C   

常常因为电源电压低于继电器的吸合电压而使其不能正常工作,事实上,继电器一旦吸合,便可在额定电压的一半左右可靠地工作。因此,可以在开始时给继电器一个启动电压使其吸合,然后再让其在较低的电源电压下工作,如图所示的电路便可实现此目的。

工作原理:如图所示。V1为单结晶体管BT33C,它与R1、R2、R3和C1组成一个张弛式振荡器,SCR为单向可控硅,按下启动按钮AN1后,电路通电,因为SCR无触发电压,所以不导通,继电器J不动作,电源通过R4和VD1给电容C2迅速充电至接近电源电压(Vcc-VD1压降)。同时,电源经R1给电容C1充电。数秒后,C1上电压充到V1的触发电压,C1立即通过V1放电,在R3上形成一个正脉冲,该脉冲一路加到V2基极,使V2迅速饱和导通,V2集电极也即电容C2正极近于接地。由于此时C2上充有上正下负的正极性电压,所以C2负极也即J线圈一端呈负电位。R3上的正脉冲另一路经VD2、C3去触发可控硅导通,SCR阴极也即J线圈另一端接近电源电压。这时,J线圈实际上承受约两倍的电源电压,所以J1-1闭合,松开AN1后,J1-1自保。J1-2将V1、V2供电切断,继电器在接近电源电压下工作。图中,AN2为停止按钮,按下AN2,J失电释放,J1-1断开,整个控制电路失电。

制作本电路时,一般可取继电器的额定电压为电源电压的1.5倍左右,一般情况下,任何型号的单向可控硅(或双向可控硅)皆可满足本电路需要。V2、C1、C3的耐压视电源电压的高低选取。C2耐压最好不低于电源电压的两倍。

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