VMOS组成的H桥电机正反转驱动电路图

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VMOS组成的H桥电机正反转驱动电路图

  在上述双电源光电耦合上管驱动电路方案中,使用光耦的输出直接驱动MOS管,这样会使输出波形严重变形,尤其是波形的下降沿比较缓慢,这主要是由MOS管的G极和s极之间的电容引起的。输出波形为高电平时,给G和s之间的电容充电,使波形上升略缓慢;输出波形变低时,G和s之间的电容通过Rl放电,使MOS管的G极电位下降缓慢,导致了波形下降沿剧烈变形。鉴于MOS管G极和s极之间存在的电容是无法消除的,在借鉴了单片机口线上拉驱动电路的基础上,我们改进了上述的驱动方案,改进型方案如图1所示。



  图1 改进型双电源光电耦合上管驱动电路

  在改进方案中,光耦的输出驱动Ql,Q2组成的差动电路,再由差动电路输出驱动MOS管。由于三极管的极间电容很小,光耦的输出波形变形就很小;并且差动管的驱动能力很强,驱动MOS管时可以使信号变形很小。


  这种驱动电路仍然使用了光耦作为两路电源系统的隔离接口,由于光耦的耦合速度受到限制不可能很快,因此这种方案在PWM频率较高时,波形也会发生部分变形。频率越高变形越多,如图2为PWM频率10 k时的波形失真,图3为PWM频率20 k时的波形失真。由图8可以发现,即使在20 k频率时,输出波形相比输入波形也只发生了很小失真,因此这种方案在EPS上管驱动中完全适用。



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