CN5610应用电路图

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CN5610应用电路图

 

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  图:CN5610应用电路图
  其中:
  L1 为电感
  流经电阻R6 的电流应该能够满足稳压二极管击穿的需要,也要为CN5610 提供大约1 毫安的工作电流。
  C1 是VDD 滤波电容,电容值为10uF
  D1 是稳压二极管,因为D1 的击穿电压即是CN5610 的工作电压,所以击穿电压的选择要确保能够驱动片外场效应晶体管M1。对高压场效应晶体管,击穿电压应该在5.8V 左右。
  D2 为整流二极管,采用肖特基二极管可以提高转换效率
  Q1 和Q2 是通用PNP 三极管,其型号可根据集电极-发射极需承受的电压来选择。对于输入电压大于200V 的应用,可以选择A94。
  M1 是N 型场效应晶体管,其型号的选择主要根据漏-源承受的最高电压确定的,使导通电阻和开启电压尽量低。对于高于200V 的输入电压,可以选择IRF840 等型号。
  R2 用来设置Q2 的集电极电流,该电流可设置在100 微安左右。
  R3 设置三极管Q1 的集电极电流,使得该电流等于Q2 的集电极电流。
  R4 用来调整最小电感电流。
  R5 用来调整最大电感电流。
  R1,R3, R4 和 R5 共同决定了最大电感电流和最小电感电流,具体公式如下:
  最大电感电流Imax:
  Imax=(0.3×R3)/(R1×R5)……………………………(1)
  最小电感电流Imin:
  Imin=(1.22×R3)/(R1×(R4+R5))……………………(2)
  



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