可控硅二、整流晶闸管(可控硅)RC阻容吸收电路的计算

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可控硅二、整流晶闸管(可控硅)RC阻容吸收电路的计算

    电容的选择:

  C=(2.5-5倍)×10的负8次方×IF
    1F=1000Uf  1Uf=1000nF  1Nf=1000pf
    If=0.367Id
    Id-直流电流值

    如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算
    C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5F 选用2.5F,1kv 的电容器

   电阻的选择:

  R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56 选择10欧
    PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)
    u=三相电压的有效值

    RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

  小功率负载通常取2毫秒左右,R=220欧姆1W,C=0.01微法400~630V。

  大功率负载通常取10毫秒,R=10欧姆10W,C=1微法630~1000V。

  R的选取:小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。

  C的选取:CBB系列相应耐压的无极性电容器。

  看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。

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