测量CMOS场效应管时的注意事项

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测量CMOS场效应管时的注意事项
    N沟道场效应管,在制造时会产生一个寄生二极管,源极为正,漏极为负。测量时先将三脚用表笔短路一下,量到有二极管特性的两极正极是源极,负极是漏极,第三极即为栅极,将栅极接正,源极接负,再正接漏极负接源极,管子应导通。再将三脚短路,复量源栅极应不通,不要一量源漏导通了就认为管子坏了。另外在路量管时,一定要放电容余电,不然给栅极一个导通电压,管子就报销了。因源栅极间电阻可达十的十次方数量级,形成一个源栅电容,很小、有点电荷就产生较高的电压,且不会马上消失,此时管子D-S间只要有电压就会饱和导通,管子必坏无疑。 如果觉得 测量CMOS场效应管时的注意事项这篇文章不错,可以推荐给朋友分享哦。
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