场效应管特点

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场效应管特点

  1.场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下,常选用场效应管。
  2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。
  3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用,而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-b,S-e,D-c。因此根据BJT电路,即可得到与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换,否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。
  4.场效应管S极和D极是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。
  5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样,必须选择合适的静态工作点,栅极必须有合适的偏压,但不出现偏流,对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同,特列如下:

类型 VGS VDS 类型 VGS VDS N沟道JFET 负 正 P沟道JFET 正 负 N沟道EMOS 正 正 P沟道EMOS 负 负 N沟道DMOS 正/负 正 P沟道DMOS 正/负 负

  注:JFET表示结型场效应管,DMOS表示耗尽型场效应管;EMOS表示增强型场效应管。
  自给偏压电路
  
如图,为自给偏压电路。电容对Rs起旁路作用——源极旁路电容。

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                   自给偏压电路
  注:增强型场效应管(MOSFET)只有G—S间电压先达到某个开启电压VT时才有ID,所以自偏压不适用于增强型MOSFET。
  分析:当Is流过Rs时产生Vs压降对地是负值。所以,VGS=VG-VS=-ISRS=-IDRS
  问题是:VGS决定于ID而ID又随VGS变化而变化,如何能确定ID、VGS之值呢?下面内容介绍两种解法。
图解法
  
步骤:
  (1)作直流负载线(从输出回手)
  直流负载线于输出特性曲线的不同VGS的交点,即管子内部方程与输出回路方程的联立解,表明电路中ID,VDS,VGS的数值必在这些交点上。
  (2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。
  (3)定静态工作点Q(从G极回路入手)因Q还应满足输入回路,所以作输入回路的直流负载线VGS=-IDRS,如图。
  (4)代入数据,得Q:VGS,VDS,ID

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计算法
  
计算法采用下列公式求解:
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  式子的IDSS称为饱和电流,即为VGS=0时ID的值;VP称为夹断电压,当VGS=VP时,漏极电流ID为0。
  让我们来看一个例子,电路如图.
  已知:VP=-4V ,IDSS=2mA。代入上述两个公式得:
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  求解此两方程,解得:ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
  因为-ID1RS< VP,因而ID1=0.82mA不合题意,舍去,故静态漏极电流IDQ为
  IDQ=0.30mA;
  静态管压降VGSQ、VDSQ分别为
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JFET

MOSFET 

N

沟 

 

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P

沟  

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