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DDR内存插槽及测试点
一、实物图
上图就是DDR内存插槽实物图
二、测试点
DDR内存插槽测试点:2个供电、6个时钟、6个信号测试点
VCC=2.5V,1.25V:供电测试点
CLK0、CLK1、CLK2、CLK3、CLK4、CLK5:时钟测试点,频率266/333/400MHZ,电压1.1V-1.6V,如果主板有两块时钟芯片,内存时钟由靠近内存的时钟芯片提供;如果只有一个时钟芯片,内存的时钟由北桥提供
6个信号测试点:
CAS:列选信号
RAS:行选信号
WE:允许信号(高电平允许读,低电平允许写)
CS:片选信号
SCL:串行时钟,SDA:串行数据,由南桥提供3.3V电压
D58、D56、D18等:是数据线,对地打阻值正常值300-800
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