R2130/IR2132芯片资料 下载
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- 芯片设计资料下载，芯片设计
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简介：
正文：R2130/IR2132PDF芯片资料该IR2130/IR2132 （ j ）项（ s ）是高压，高速 功率MOSFET和IGBT驱动器与三个独立 高和低侧参考输出通道。专有 HVIC技术使得耐用 单片建设。逻辑输入兼容 CMOS或LSTTL产出下降至2.5V的逻辑。字母a 地面参照运算放大器提供 模拟反馈的桥梁目前通过外部电流 感应电阻器。目前的访问功能，终止 所有六项产出也来自这个电阻。 开漏故障信号显示，如果过电流 或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计 最低限度的司机交叉传导。传播延迟相匹配，以简化使用高频率。那个 浮动渠道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高压侧配置 操作高达600伏特。
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正文：R2130/IR2132PDF芯片资料该IR2130/IR2132 （ j ）项（ s ）是高压，高速 功率MOSFET和IGBT驱动器与三个独立 高和低侧参考输出通道。专有 HVIC技术使得耐用 单片建设。逻辑输入兼容 CMOS或LSTTL产出下降至2.5V的逻辑。字母a 地面参照运算放大器提供 模拟反馈的桥梁目前通过外部电流 感应电阻器。目前的访问功能，终止 所有六项产出也来自这个电阻。 开漏故障信号显示，如果过电流 或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计 最低限度的司机交叉传导。传播延迟相匹配，以简化使用高频率。那个 浮动渠道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT在高压侧配置 操作高达600伏特。
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