沟槽栅低压功率MOSFET介绍说明 下载

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回顾功率半导体器件的发展，大致可分为三个阶段。第一阶段是六十到七十年代，各种 类型的晶闸管、功率二极管和大功率达林顿晶体管有很大的发展，所以可称为是双极型时代。 在这一阶段器件主要是应用在高压低频条件下，额定功率比较大，服务对象以工业应用为主， 包括电力系统，机车牵引等。第二阶段是八十到九十年代，功率器件运用的范围逐渐广泛， 如图1，随着功率电子电路对工作开关频率的要求越来越高，器件需要在较高的频率下工作， 传统功率晶体管由于开关速度较低，已 经不能满足发展的要求。功率 MOSFET（power metal oxide semiconductor field-effect transistor）的 出现给功率器件的发展注入了新的活 力。功率MOSFET以其开关速度快、 频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、 温度特性好、无二次击穿问题等优点， 在高频应用的范围内代替了功率双极 晶体管（power BJT），将电力电子带入 图1. 功率半导体器件的应用[1] 了一个新的阶段。二十一世纪前后，功 率半导体器件的发展又进入了第三阶段，即电力电子技术逐步和集成电路融合的阶段。功率 MOSFET器件的生产工艺、封装技术都与微电子技术和集成电路的发展保持一致：制造工 艺使用集成电路的硅平面工艺；加工精度由几微米迅速向亚微米甚至深亚微米；并开始采用 集成电路先进的封装技术等。这使器件性能得到了很大程度上的提高。 专业软件下载
现在，大部分VRM都是使用传统的Buck电路（使用Schottky二极管整流）或同步整流Buck 电路（使用整流管整流）。相对于传统Buck电路来说，同步整流Buck电路使用通态电阻极低的 MOSFET代替了Schottky二极管，所以能很大程度上减小传导损耗，有利于提高效率。但是要为 未来的微处理器供电，这两种电路存在明显的限制。为了在瞬态条件下满足电压调节的要求，电 路需要有更多的输出滤波电容和退耦电容。然而，VRM的空间是有限的，增加电容的做法不切实 际。所以应该发展具有更高频率、更高功率密度和更快瞬态响应的VRM。
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